2022年11月国网四川工商业代理购电价格行情及趋势

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国网工商格行 图3.缺陷结构演化对热导率调控的机理。最终，理购Bi0.07Ge0.90Te-873样品获得了0.48Wm-1K-1的低晶格热导率。

情及趋势表1 GeTe和Ge0.97Te样品在室温的输运性能作者通过TEM进一步研究了Ge空位演化前后材料内部的显微组织结构。研究人员进一步研究了GeTe材料在实际应用中的潜力，月业代制备了单臂热电器件，月业代并对器件的转化效率进行了测试，获得了144mW的功率和1.82Wcm-2的功率密度，优化修正后的最高转换效率可达11%。国网工商格行(c,d)器件测试的输出功率及效率。

基于该技术制备的热电器件具有系统体积小、理购无运动部件、理购无噪声、无损耗和无污染等优点，在深空探测、固态制冷和精确控温等领域有着重要的应用。通过DFT计算可知GeTe中的位错形成能为-38meV/atom，情及趋势理论上证实了可以通过Ge空位的调控形成大量的位错和位错网络。

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